| 专利名称: | 一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200720103994.5 |
| 申请日期: | 2007-03-28 |
| 专利号: | CN201028934 |
| 第一发明人: | 刘茂哲 景玉鹏 陈大鹏 欧 毅 叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 本实用新型公开了一种半导体制冷的二氧化碳超临界干燥装置，包 括：超临界干燥室，用于牺牲层的释放，由高压反应室和温度控制室组成； 高压反应室用于盛放硅片支架，提供二氧化碳置换和气化干燥的反应室， 与二氧化碳气瓶相连，且高压反应室的外壁上安装有半导体制冷环；温度 控制室通过蒸发器盘管与高压反应室相连，实现高压反应室的制冷和加 热；分离减压室通过管道与高压反应室相连，用于减压后将醇类和二氧化 碳分离；超临界干燥室与分离减压室通过支座台固定连接。利用本实用新 型，解决了微细加工中干燥时粘连的问题，降低了液体二氧化碳的消耗量， 达到了节约能源的目的，与二氧化碳制冷或氟里昂制冷相比，结构简单， 无噪音，无污染，制冷速度快。 |
| 其它备注: | |
科研产出