| 专利名称: | 牺牲层固态升华释放改良设备 |
| 专利类别: | |
| 申请号: | 200520023097.4 |
| 申请日期: | 2005-07-14 |
| 专利号: | CN2804054 |
| 第一发明人: | 石莎莉;陈大鹏;欧 毅;叶甜春 |
| 其它发明人: | |
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| 专利摘要: | 一种牺牲层释放改良设备，涉及微机电系统制造技术，包括真空室、 真空系统和制冷加热区；在机箱顶面上方有真空室，机箱内腔与真空室 连通；真空室与真空管道密封连通，真空管道另一端密封连通于真空系 统；在机箱顶面开口中设有制冷加热区，制冷加热区位于机箱顶面下方， 在机箱内腔与真空室连通处；制冷加热区设有盛放硅片的托盘、半导体 热电制冷器、加热电阻丝、电磁继电器，其中，加热电阻丝直接环绕固 贴在托盘底部，半导体热电制冷器位于加热电阻丝下方，半导体热电制 冷器上表面，均布有复数个电磁继电器，电磁继电器上端与盛放硅片的 托盘周缘固接。本实用新型生产效率高，工艺稳定，可以获得防止粘连 的牺牲层，适合用于大规模生产。 |
| 其它备注: | |
科研产出