用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	用于牺牲层释放的二氧化碳固态升华装置
专利类别:	实用新型
申请号:	200920107674.6
申请日期:	2009-05-06
专利号:
第一发明人:	景玉鹏, 惠瑜, 高超群
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:	ZL200920107674.6
专利摘要:
其它备注:	八室一组

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