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专利名称: 一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法
专利类别: 发明
申请号: 200710178316.X
申请日期: 2007-11-28
专利号:
第一发明人: 于进勇, 刘新宇, 金智, 程伟, 夏洋
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号: ZL200710178316.X
专利摘要:
其它备注: 四室
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