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专利名称: 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
专利类别: 发明
申请号: 200710179354.7
申请日期: 2007-12-12
专利号:
第一发明人: 刘梦新，韩郑生，赵超荣，刘刚
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号: ZL200710179354.7
专利摘要:
其它备注: 一室一组
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