专利名称: 制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法
专利类别: 发明
申请号: 200710178320.6
申请日期: 2007-11-28
专利号:
第一发明人: 徐静波, 张海英, 叶甜春
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号: ZL200710178320.6
专利摘要:
其它备注: 十一室