单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构
专利类别:	发明
申请号:	200710178311.7
申请日期:	2007-11-28
专利号:
第一发明人:	徐静波, 张海英, 叶甜春
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:	ZL200710178311.7
专利摘要:
其它备注:	十一室

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