一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
专利类别:	发明
申请号:	200810223342.4
申请日期:	2008-09-26
专利号:
第一发明人:	刘训春，王佳，周宗义，李兵，王建海，黄清华
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:	ZL200810223342.4
专利摘要:
其它备注:	八室四组

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