高速无等离子体硅刻蚀系统 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	高速无等离子体硅刻蚀系统
专利类别:	发明
申请号:	200920313341.9
申请日期:	2009-10-27
专利号:
第一发明人:	景玉鹏，王磊
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:	ZL200920313341.9
专利摘要:
其它备注:	八室一组

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