采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法
专利类别:	发明
申请号:	200810116044.5
申请日期:	2008-07-02
专利号:
第一发明人:	王显泰, 金智
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:	ZL200810116044.5
专利摘要:
其它备注:	四室

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