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专利名称: 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
专利类别: 发明
申请号: 200710175969.2
申请日期: 2007-10-17
专利号:
第一发明人: 李诚瞻, 魏珂, 刘新宇, 刘键, 刘果果, 郑英奎, 王冬冬, 黄俊, 和致经
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号: ZL200710175969.2
专利摘要:
其它备注: 四室
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