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专利名称: 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件
专利类别: 发明
申请号: 200810057921.6
申请日期: 2008-02-21
专利号:
第一发明人: 刘梦新, 毕津顺, 范雪梅, 赵超荣, 韩郑生, 刘刚
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号: ZL200810057921.6
专利摘要:
其它备注: 一室一组
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