专利名称: 一种制备体硅围栅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
专利类别: 发明专利
申请号: PCT/CN2010/074699
申请日期: 2010-06-29
专利号: US 12/912,531
第一发明人: 宋毅,周华杰,徐秋霞
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专利摘要:
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