一种垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法
专利类别:	发明专利
申请号:	200810225453.9
申请日期:	2008-10-31
专利号:	200810225453.9
第一发明人:	商立伟，刘明，涂德钰，刘舸，刘兴华
其它发明人:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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