一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种二氧化二氧化硅牺牲层释放系统
专利类别:	实用新型
申请号:	200920350781.1
申请日期:	2009-12-30
专利号:	200920350781.1
第一发明人:	王磊，景玉鹏
其它发明人:
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实施情况:
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专利摘要:
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