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专利名称: 一种在锗衬底上制备金属-氧化物-半导体电容的方法
专利类别: 发明专利
申请号: 200910077625.7
申请日期: 2009-02-09
专利号: 200910077625.7
第一发明人: 胡爱斌，徐秋霞
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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