基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法
专利类别:	发明专利
申请号:	200810240275.7
申请日期:	2008-12-18
专利号:	200810240275.7
第一发明人:	何伟，明安杰，薛惠琼，焦斌斌，欧毅，陈大鹏
其它发明人:
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专利摘要:
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