一种光电位移传感器及其制备方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种光电位移传感器及其制备方法
专利类别:	发明专利
申请号:	200910308373.4
申请日期:	2009-10-16
专利号:	200910308373.4
第一发明人:	吴茹菲，洪何清
其它发明人:
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专利摘要:
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