专利名称: 单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法
专利类别: 发明专利
申请号: 200810102205.5
申请日期: 2008-03-19
专利号: 200810102205.5
第一发明人: 黎明,张海英,徐静波,付晓君
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