基于纳米岛衬底制备大高宽比X射线衍射光学元件的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	基于纳米岛衬底制备大高宽比X射线衍射光学元件的方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110061442.3
申请日期:	2011-03-15
专利号:
第一发明人:	李海亮,谢常青,朱效立,史丽娜
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: