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专利名称: 一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110147251.9
申请日期: 2011-06-02
专利号:
第一发明人: 李博,申华军,白云,汤益丹,刘焕明,周静涛,杨成樾
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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