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专利名称: 一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110399350.6
申请日期: 2011-12-05
专利号:
第一发明人: 王盛凯,刘洪刚,孙兵,薛百清,常虎东,卢力,王虹,赵威
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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