当前位置 首页 科研工作 科研产出 专利
专利名称: 一种源漏区、接触孔及其形成方法
专利类别: 实用新型
申请号: 201190000053.3
申请日期: 2011-10-14
专利号:
第一发明人: 尹海洲，朱慧珑, 骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
中国科学院微电子研究所版权所有 邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1