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专利名称: 纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110188786.0
申请日期: 2011-07-05
专利号:
第一发明人: 殷华湘，梁擎擎，钟汇才
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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