类金刚石衬底上源漏掩埋型石墨烯晶体管器件结构和制作方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	类金刚石衬底上源漏掩埋型石墨烯晶体管器件结构和制作方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201110266848.5
申请日期:	2011-09-09
专利号:
第一发明人:	马小龙，殷华湘
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: