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专利名称: 具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110377995.X
申请日期: 2011-11-23
专利号:
第一发明人: 罗军，赵超，钟汇才，李俊峰，陈大鹏
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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