专利名称: 半导体结构及其制造方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110263440.2
申请日期: 2011-09-07
专利号:
第一发明人: 朱慧珑,尹海洲,骆志炯
其它发明人:
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国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: