制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构
专利类别:	发明专利
申请号:	201110295189.8
申请日期:	2011-09-28
专利号:
第一发明人:	朱慧珑，骆志炯，尹海洲
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: