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专利名称: 阱区的形成方法和半导体基底
专利类别: 实用新型
申请号: 201190000055.2
申请日期: 2011-07-26
专利号:
第一发明人: 尹海洲,朱慧珑,骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
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