x应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	x应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法
专利类别:	发明专利
申请号:	PCT/CN2011/001982
申请日期:	2011-11-28
专利号:
第一发明人:	殷华湘，徐秋霞，陈大鹏
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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