当前位置 首页 科研工作 科研产出 专利
专利名称: 用STI的拐角应力增强MOSFET性能
专利类别: 发明专利
申请号: 201110417139.2
申请日期: 2011-12-14
专利号:
第一发明人: 朱慧珑，骆志炯，尹海洲
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:
中国科学院微电子研究所版权所有 邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1