一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法
专利类别:	发明
申请号:	200810116043.0
申请日期:	2008-07-02
专利号:	200810116043.0
第一发明人:	宋文斌，毕津顺，韩郑生
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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