一种绝缘层上硅集成电路的静电放电防护电路 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种绝缘层上硅集成电路的静电放电防护电路
专利类别:	发明
申请号:	200710082339.0
申请日期:	2007-09-29
专利号:	200710082339.0
第一发明人:	曾传滨，李晶，李多力，海潮和，韩郑生
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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