静电放电保护用可控硅结构 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	静电放电保护用可控硅结构
专利类别:	实用新型
申请号:	201120417128.X
申请日期:	2011-10-27
专利号:	201120417128.X
第一发明人:	曾传滨,毕津顺,李多力,罗家俊,韩郑生
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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