以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法
专利类别:	发明
申请号:	PCT/CN2010/001459
申请日期:	2010-09-21
专利号:	US 8,163,620
第一发明人:	李永亮,徐秋霞
其它发明人:
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专利摘要:
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