专利名称: 半导体结构及其形成方法
专利类别: 发明
申请号: 200910242509.6
申请日期: 2009-12-15
专利号: 0
第一发明人: 骆志炯,尹海洲,朱慧珑
其它发明人:
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专利证书号:
专利摘要:
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