| 专利名称: | 控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | 200910089597.0 |
| 申请日期: | 2009-07-22 |
| 专利号: | ZL200910089597.0 |
| 第一发明人: | 王文武,朱慧珑,陈世杰,陈大鹏 |
| 专利名称: | 控制阈值电压特性的CMOSFETs器件结构及其制造方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | 200910089597.0 |
| 申请日期: | 2009-07-22 |
| 专利号: | ZL200910089597.0 |
| 第一发明人: | 王文武,朱慧珑,陈世杰,陈大鹏 |
科研产出