GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	GaAs基E/D PHEMT单片集成微波开关及其制作方法
专利类别:	发明
申请号:	200810115564.4
申请日期:	2008-06-25
专利号:	200810115564.4
第一发明人:	黎明，张海英，付晓君，徐静波
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十一室