一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种隔离结构及制造方法、以及具有该结构的半导体器件
专利类别:	发明
申请号:	201010540071.2
申请日期:	2010-11-09
专利号:	201010540071.2
第一发明人:	骆志炯、尹海洲、朱慧珑、钟汇才
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十室

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