一种中高压IGBT终端 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种中高压IGBT终端
专利类别:	实用新型
申请号:	201320121922.9
申请日期:	2013-03-18
专利号:	ZL201320121922.9
第一发明人:	田晓丽,朱阳军,卢烁今
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	一室

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