半导体衬底隔离的形成方法 --中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出专利

专利名称:	半导体衬底隔离的形成方法
专利类别:	发明
申请号:	PCT/CN2011/000613
申请日期:	2011-04-08
专利号:	US8426282
第一发明人:	尹海洲,骆志炯,朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十室

中国科学院微电子研究所版权所有邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1