一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种集成电路金属冗余填充物耦合电容的测试结构和方法
专利类别:	发明
申请号:	201010300344.6
申请日期:	2010-01-15
专利号:	ZL201010300344.6
第一发明人:	王强,陈岚,阮文彪,李志刚,杨飞,周隽雄,叶甜春
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	EDA中心