以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	以氮化铝为势垒层的Mo基金属栅叠层结构的刻蚀方法
专利类别:	发明
申请号:	201010157538.5
申请日期:	2010-04-21
专利号:	ZL201010157538.5
第一发明人:	李永亮,徐秋霞
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十室

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