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专利名称: 半导体结构的形成方法
专利类别: 发明
申请号: 201010111076.3
申请日期: 2010-02-11
专利号: ZL201010111076.3
第一发明人: 钟汇才,梁擎擎,尹海洲,朱慧珑
其它发明人:
国外申请日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注: 十室
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