具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法 --中国科学院微电子研究所

科研产出

当前位置首页科研工作科研产出专利

专利名称:	具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法
专利类别:	发明
申请号:	PCT/CN2010/074145
申请日期:	2010-06-21
专利号:	US8361851
第一发明人:	朱慧珑,尹海洲,骆志炯
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十室

中国科学院微电子研究所版权所有邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1