控制器件阀值电压的CMOSFET结构及其制造方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	控制器件阀值电压的CMOSFET结构及其制造方法
专利类别:	发明
申请号:	PCT/CN2010/074387
申请日期:	2010-06-24
专利号:	US8,410,555
第一发明人:	王文武,朱慧珑,陈世杰,陈大鹏
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	十室

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