| 专利名称: | 控制阀值电压特性的CMOSFET器件结构及其制造方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | PCT/CN2010/074384 |
| 申请日期: | 2010-06-24 |
| 专利号: | US8,410,541 |
| 第一发明人: | 王文武,朱慧珑,陈世杰,陈大鹏 |
| 其它备注: | 十室 |
| 专利名称: | 控制阀值电压特性的CMOSFET器件结构及其制造方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | PCT/CN2010/074384 |
| 申请日期: | 2010-06-24 |
| 专利号: | US8,410,541 |
| 第一发明人: | 王文武,朱慧珑,陈世杰,陈大鹏 |
| 其它备注: | 十室 |
科研产出