| 专利名称: | 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | 201010227180.9 |
| 申请日期: | 2010-07-07 |
| 专利号: | 201010227180.9 |
| 第一发明人: | 黄俊 |
| 其它备注: | 四室 |
| 专利名称: | 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 |
| 专利类别: | 发明 |
| 申请号: | 201010227180.9 |
| 申请日期: | 2010-07-07 |
| 专利号: | 201010227180.9 |
| 第一发明人: | 黄俊 |
| 其它备注: | 四室 |
科研产出