一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法
专利类别:	发明
申请号:	201110375079.2
申请日期:	2011-11-23
专利号:	201110375079.2
第一发明人:	汪宁
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	四室

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