SiC肖特基二极管及其制作方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	SiC肖特基二极管及其制作方法
专利类别:	发明
申请号:	201110380007.7
申请日期:	2011-11-25
专利号:	201110380007.7
第一发明人:	白云,申华军,汤益丹,李博,周静涛,杨成樾,刘焕明,刘新宇
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:	四室

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